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NTH4L075N065SC1（SiC）MOSFET采用TO-247-4L封裝，用于實現快速而堅固的設計。該器件具有10倍介電擊穿場強和2倍電子飽和速度，還具有3倍能量帶隙和3倍熱導率。

產品規(guī)格：

FET 類型：N 通道

技術：SiCFET（碳化硅）

漏源電壓（Vdss）：650 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：38A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V，18V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：85 毫歐 @ 15A，18V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4.3V @ 5mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：61 nC @ 18 V

Vgs（最大值）：+22V，-8V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1196 pF @ 325 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：148W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：通孔

供應商器件封裝：TO-247-4L

封裝/外殼：TO-247-4

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  答：我們的自營商品均采自合作的國內外原廠或授權代理商，來源均可追溯，確保原裝正品。

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