商品名稱:低壓差穩(wěn)壓器
品牌:ON
年份:24+
封裝:D2PAK-5
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2412 件
NCP57302DSADJR4G是一款高精度、極低漏 (VLDO)、低最小輸入電壓和低接地電流正向穩(wěn)壓器,能夠提供超過 3.0 A 的輸出電流,3.0 A 負(fù)載電流下的典型漏電壓為 315 mV,輸入電壓為 1.8 V 以上。該器件使用陶瓷輸出電容器實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定性。該器件可承受最高 18 V 的最大輸入電壓。內(nèi)部保護(hù)特性包括輸出電流限制、內(nèi)置高溫關(guān)斷和逆向輸出電流保護(hù)。提供邏輯電平啟用引腳。NCP57302 為可調(diào)電壓器件,采用 D2PAK-5 封裝。
NCP57302DSADJR4G產(chǎn)品特點(diǎn)
輸出電流超過 3.0 A
最小工作輸入電壓 1.8 V,全 3 A 輸出電流
3.0 A 時 315 mV 典型壓降電壓
可調(diào)輸出電壓范圍 1.24 V 至 13 V
低接地電流
快速瞬態(tài)響應(yīng)
開關(guān)電源后級調(diào)節(jié)
使用陶瓷輸出電容器保持穩(wěn)定
邏輯兼容使能引腳
限流、反向電流和熱關(guān)斷保護(hù)
工作電壓高達(dá) 13.5 V 輸入電壓
NCV 前綴,適用于汽車和其他有以下要求的應(yīng)用
獨(dú)特的現(xiàn)場和控制變更要求;通過 AECQ100 認(rèn)證并具備 PPAP 能力
這些器件無鉛
NCP57302DSADJR4G 應(yīng)用
消費(fèi)品和工業(yè)設(shè)備調(diào)節(jié)點(diǎn)
服務(wù)器和網(wǎng)絡(luò)設(shè)備
FPGA、DSP 和邏輯電源
開關(guān)電源后期調(diào)節(jié)
電池充電器
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號:ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們在汽車、通信、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)…
UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結(jié)器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場上唯一的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動 SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關(guān)速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復(fù)特性。這些器件非常適合電感負(fù)載開關(guān)和任何需要標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動的應(yīng)用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1:1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶體管,TO-247-4型號:NVH4L050N170M1封裝:TO-247-4類型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶體管NVH4L050N170M1 規(guī)格參數(shù):FET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1700 V25C 時電流 - 連…電話咨詢:86-755-83294757
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