商品名稱:IGBT 單管
品牌:INFINEON
年份:25+
封裝:TO-247-3
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:2000 件
IKW50N65ES5絕緣柵雙極晶體管(IGBT)適合開(kāi)關(guān)頻率在 10 kHz 到 40 kHz 之間的應(yīng)用,可實(shí)現(xiàn)高效率和更快的產(chǎn)品上市周期,降低電路設(shè)計(jì)復(fù)雜性并優(yōu)化 PCB 物料清單成本。該產(chǎn)品具有以下優(yōu)勢(shì)和技術(shù)參數(shù):
IKW50N65ES5的優(yōu)勢(shì)
不需要 VCEpeak 箝位電路
不需要柵極箝位元件
出色的 EMI 行為
非常適合并聯(lián)
技術(shù)參數(shù)
IGBT 類型:溝道
電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):80 A
電流 - 集電極脈沖 (Icm):200 A
不同 Vge、Ic 時(shí) Vce(on)(最大值):1.7V @ 15V,50A
功率 - 最大值:274 W
開(kāi)關(guān)能量:1.23mJ(導(dǎo)通),550μJ(關(guān)斷)
輸入類型:標(biāo)準(zhǔn)
柵極電荷:120 nC
25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:20ns/127ns
測(cè)試條件:400V,50A,8.2 歐姆,15V
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr):70 ns
工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-247-3
此外,IKW50N65ES5適用于需要高效率和快速開(kāi)關(guān)頻率的應(yīng)用場(chǎng)景,如工業(yè)加熱和焊接、不間斷電源(UPS)等?。由于其高效能和可靠性,該器件在工業(yè)和電力電子設(shè)備中有著廣泛的應(yīng)用前景。
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫(kù)存流動(dòng)性比較大,目前還無(wú)法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門(mén)子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門(mén),于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…IGW75N65H5
IGW75N65H5器件是一款采用新型TRENCHSTOP?5 IGBT 技術(shù)的絕緣柵雙極晶體管(IGBT),在硬開(kāi)關(guān)應(yīng)用中提供無(wú)與倫比的高效性能。具有以下優(yōu)勢(shì)和技術(shù)規(guī)格:產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)具有出色的效率,降低結(jié)溫和外殼溫度,從而提高設(shè)備可靠性母線電壓可提升50V,同時(shí)不影響可靠性更高的功率密度設(shè)…IGD08N120S7
IGD08N120S7是一款采用TO-252 封裝的1200 V,8 A 硬開(kāi)關(guān)TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標(biāo)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗。特征描述VCE = 1200 VIC = 8 A低飽和壓降VCEsat = 2 V(Tvj = 150C)高抗短路能力(8 s)寬的dv/dt 可控范圍應(yīng)用領(lǐng)域IGD08…IGB15N120S7
IGB15N120S7器件是一款采用TO-263 封裝的1200 V,15 A 硬開(kāi)關(guān)TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標(biāo)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗。技術(shù)參數(shù)IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):34 A電流 - 集…IGB08N120S7
IGB08N120S7是一款采用TO-263 封裝的1200 V,8 A 硬開(kāi)關(guān)TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標(biāo)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗。其特征和技術(shù)規(guī)格如下:特征描述VCE = 1200 VIC = 8 A低飽和壓降VCEsat = 2 V(Tvj = 150C)高抗短路能力(8 s)寬的dv/dt…IGB03N120S7
IGB03N120S7絕緣柵雙極晶體管(IGBT)具有低飽和壓降VCEsat,可在目標(biāo)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗。該器件具有以下優(yōu)勢(shì)和技術(shù)規(guī)格:IGB03N120S7的優(yōu)勢(shì)面向高電壓輔助電源的緊湊設(shè)計(jì)降低電磁干擾技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:-電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (Ic)(最…電話咨詢:86-755-83294757
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