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Micron LPDDR4內存優(yōu)化用于解決電池供電應用中的功耗問題。與DDR4相比，這些內存器件的峰值帶寬快33%。與標準DRAM相比，LPDDR4內存在待機模式下的功耗降低至1/5。這些內存器件采用多芯片封裝（MCP）和封裝體疊層（PoP）設計，可節(jié)省PCB空間。LPDDR4內存器件優(yōu)化了x16、x32和x64配置，可為某些應用節(jié)省BOM。LPDDR4內存在性能、功耗、延遲和物理空間之間實現了完美平衡，因此非常節(jié)能。這些LPDDR4內存器件適合用于手持設備、電池供電應用和超便攜設備。

MT53E768M32D4DT-053 AAT:E 產品屬性：

存儲器類型： 易失  

存儲器格式： DRAM  

技術： SDRAM - Mobile LPDDR4  

存儲容量： 24Gb  

存儲器組織： 768M x 32  

存儲器接口： -  

時鐘頻率： 1.866 GHz  

寫周期時間 - 字，頁： -  

電壓 - 供電：1.1V  

工作溫度： -40°C ~ 125°C（TC）  

安裝類型： 表面貼裝型  

封裝/外殼： 200-VFBGA  

供應商器件封裝： 200-VFBGA（10x14.5）  

基本產品編號； MT53E768  

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