深圳市明佳達電子有限公司供應(yīng)，回收碳化硅 MOSFET 模塊 DF17MR12W1M1HFB68BPSA1 N溝道碳化硅結(jié)型晶體管供求產(chǎn)品：DF17MR12W1M1HFB68BPSA1批次：最新23+封裝：Module說明：DF17MR12W1M1HFB68BPSA1 EasyPACK? 1B CoolSiC? MOSFET 1200 V、17 mΩ增壓型單體MPPT模塊，采用…
深圳市明佳達電子有限公司供應(yīng)，回收碳化硅 MOSFET 模塊 DF17MR12W1M1HFB68BPSA1 N溝道碳化硅結(jié)型晶體管
供求產(chǎn)品：DF17MR12W1M1HFB68BPSA1
批次：最新23+
封裝：Module
說明：
DF17MR12W1M1HFB68BPSA1 EasyPACK? 1B CoolSiC? MOSFET 1200 V、17 mΩ增壓型單體MPPT模塊，采用增強型1代、NTC和PressFIT接觸技術(shù)。
特征描述
高度為12毫米的同類最佳封裝
領(lǐng)先的WBG材料與簡易模塊封裝的結(jié)合
非常低的模塊雜散電感
寬的RBSOA
具有增強的第1代溝槽技術(shù)的1200 V CoolSiC? MOSFET
擴大了推薦的柵極驅(qū)動電壓窗口，從+15...+18 V到0...-5 V
擴展的最大柵極-源極電壓為+23 V和-10 V
過載條件下的Tvjop最高可達175°C
按壓FIT引腳
集成NTC溫度傳感器
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