IPG20N04S4L-11 - 英飛凌汽車級雙N溝道MOSFET產(chǎn)品描述：IPG20N04S4L-11 是英飛凌（Infineon）推出的 汽車級雙N溝道增強型功率MOSFET，屬于 OptiMOS?-T2 系列，采用 PG-TDSON-8-4 封裝（56mm），具有超低導(dǎo)通電阻（11.6mΩ） 和 40V 漏源電壓，適用于汽車電子、工業(yè)控制及…
IPG20N04S4L-11 - 英飛凌汽車級雙N溝道MOSFET產(chǎn)品描述：
IPG20N04S4L-11 是英飛凌（Infineon）推出的 汽車級雙N溝道增強型功率MOSFET，屬于 OptiMOS?-T2 系列，采用 PG-TDSON-8-4 封裝（5×6mm），具有超低導(dǎo)通電阻（11.6mΩ） 和 40V 漏源電壓，適用于汽車電子、工業(yè)控制及輕負(fù)載開關(guān)等應(yīng)用。
關(guān)鍵特性：
雙N溝道設(shè)計：集成兩個獨立MOSFET，節(jié)省PCB空間，提高系統(tǒng)集成度。
超低導(dǎo)通電阻：11.6mΩ（典型值）@ 10V, 17A，顯著降低功率損耗。
高電流能力：連續(xù)漏極電流達(dá) 20A，適用于大功率開關(guān)應(yīng)用。
汽車級認(rèn)證：
符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)，支持 -55°C ~ +175°C 寬溫工作范圍。
MSL1 峰值回流焊溫度達(dá) 260°C，滿足汽車制造工藝要求。
低柵極電荷（26nC @ 10V），優(yōu)化高頻PWM控制效率。
100% 雪崩測試，增強器件在瞬態(tài)高壓下的可靠性。
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保無鉛設(shè)計。
產(chǎn)品優(yōu)勢：
雙超S08可替代多個DPAK，實現(xiàn)PCB面積的顯著節(jié)省和系統(tǒng)級成本降低。
鍵合線直徑為200微米，支持高達(dá)20安培的電流
更大的源極引線框架連接，適用于鍵合線連接
封裝：PG-TDSON-8-4
與相同芯片尺寸的DPAK相比，具有相同的熱性能和電氣性能。
裸露焊盤提供卓越的熱傳導(dǎo)性能（具體取決于芯片尺寸）
單個封裝內(nèi)集成兩個N溝道MOSFET，配備2個獨立的引線框架
技術(shù)參數(shù)：
產(chǎn)品種類: MOSFET
封裝 / 箱體: TDSON-8
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 2 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V
Id-連續(xù)漏極電流: 20 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 11.6 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 16 V, + 16 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.7 V
Qg-柵極電荷: 26 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 41 W
明佳達(dá)電子供應(yīng)信息
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