最新資訊深圳市明佳達(dá)電子有限公司供應(yīng)和求購(gòu)英飛凌 IQE220N15NM5 OptiMOS? 5 低壓功率 MOSFET 150 V，采用 PQFN 3.3x3.3 降源封裝，收購(gòu)N-通道功率MOSFET描述IQE220N15NM5屬于 Source-Down 系列，RDS(on) 為 22 mOhm。Source-Down 技術(shù)采用翻轉(zhuǎn)硅芯片，在元件內(nèi)部倒置。它提高了…
深圳市明佳達(dá)電子有限公司供應(yīng)和求購(gòu)英飛凌 IQE220N15NM5 OptiMOS? 5 低壓功率 MOSFET 150 V，采用 PQFN 3.3x3.3 降源封裝，收購(gòu)N-通道功率MOSFET
描述
IQE220N15NM5屬于 Source-Down 系列，RDS(on) 為 22 mOhm。Source-Down 技術(shù)采用翻轉(zhuǎn)硅芯片，在元件內(nèi)部倒置。
它提高了散熱能力，改善了功率密度和布局可能性。新技術(shù)有標(biāo)準(zhǔn)柵極和中心柵極（針對(duì)并行化進(jìn)行了優(yōu)化）兩種不同的基底面。
特性
RDS(on) 為 22 mOhm
與 PQFN 封裝相比，RthJC 更好
提供標(biāo)準(zhǔn)柵極基底面
新的優(yōu)化布局可能性
優(yōu)勢(shì)
最高功率密度和性能
優(yōu)異的熱性能
有效利用空間
標(biāo)準(zhǔn)柵極便于布局安裝
改善 PCB 損耗
減少寄生
潛在應(yīng)用
驅(qū)動(dòng)
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電信
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時(shí)間：2025-06-13
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