產(chǎn)品介紹：Qorvo UG4SC075009K4S 750V 8.4m?組合FET在單個TO-247-4L封裝中集成了750V SiC JFET和低壓Si MOSFET。該設(shè)計(jì)可實(shí)現(xiàn)常閉開關(guān)，同時(shí)受益于超低導(dǎo)通電阻[RDS(on)]和常開SiC JFET的穩(wěn)健性。UG4SC075009K4S組合FET非常適用于電路保護(hù)中的高能量開關(guān)。對于開關(guān)模式電…
產(chǎn)品介紹：
Qorvo UG4SC075009K4S 750V 8.4m?組合FET在單個TO-247-4L封裝中集成了750V SiC JFET和低壓Si MOSFET。該設(shè)計(jì)可實(shí)現(xiàn)常閉開關(guān)，同時(shí)受益于超低導(dǎo)通電阻[RDS(on)]和常開SiC JFET的穩(wěn)健性。
UG4SC075009K4S組合FET非常適用于電路保護(hù)中的高能量開關(guān)。對于開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換，該器件可單獨(dú)訪問JFET和MOSFET，從而增強(qiáng)速度控制并簡化多個器件并聯(lián)。
UG4SC075009K4S的規(guī)格：
技術(shù)：SiC
安裝風(fēng)格：Through Hole
封裝 / 箱體：TO-247-4
晶體管極性：N-Channel
配置：Single
Vds-漏源極擊穿電壓：750 V
Vgs-柵源極擊穿電壓 ：- 30 V to 30 V
Vgs=0時(shí)的漏-源電流：4 uA
Id-連續(xù)漏極電流：106 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：8.4 mOhms
Pd-功率耗散：375 W
工作溫度：- 55°C 至 + 175°C
系列：UG4S
商標(biāo)：Qorvo
產(chǎn)品類型：SiC JFETs
目標(biāo)應(yīng)用：
固態(tài)/半導(dǎo)體斷路器
固態(tài)/半導(dǎo)體繼電器
電池?cái)嚅_
浪涌保護(hù)
浪涌電流控制
大功率開關(guān)模式轉(zhuǎn)換器（>25kW）
時(shí)間：2025-05-16
時(shí)間：2025-05-16
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時(shí)間：2025-05-16
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