商品名稱:CY8C4146LQE-S253T
數(shù)據(jù)手冊:CY8C4146LQE-S253T.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:40-QFN
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:3000 件
CY8C4146LQE-S253T 器件的閃存模塊帶有一個(gè)閃存加速器,與 CPU 緊密耦合,以提高閃存塊的平均訪問時(shí)間。 低功耗閃存塊設(shè)計(jì)為在 48MHz 頻率下提供兩個(gè)等待狀態(tài)的訪問時(shí)間。 閃存加速器的平均單周期 SRAM 訪問性能達(dá)到 85%。
特點(diǎn)
時(shí)鐘源
4 至 33 MHz 外部晶體振蕩器 (ECO)
產(chǎn)生 48MHz 頻率的 PLL
32 kHz 手表晶體振蕩器 (WCO)
±2% 內(nèi)部主振蕩器 (IMO)
32 kHz 內(nèi)部低功耗振蕩器 (ILO)
LCD 驅(qū)動能力
GPIO 上的 LCD 段驅(qū)動功能
可編程數(shù)字
可編程邏輯塊允許在端口輸入和輸出上執(zhí)行布爾運(yùn)算
低功耗 1.71 V 至 5.5 V 工作電壓
深度睡眠模式,具有工作模擬和 2.5 ?A 數(shù)字系統(tǒng)電流
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…IPW60R099P6
IPW60R099P6 是英飛凌的一款CoolMOS? P6系列N通道功率MOSFET晶體管,采用PG-TO247-3封裝。CoolMOS? P6系列旨在實(shí)現(xiàn)更高的系統(tǒng)效率,同時(shí)易于設(shè)計(jì)。CoolMOS ? P6 縮小了專注于提供終極性能的技術(shù)與更注重易用性的技術(shù)之間的差距。產(chǎn)品信息:型號:IPW60R099P6封裝:PG-CY62146EV30LL-45ZSXIT
CY62146EV30LL-45ZSXIT 是一款高性能的靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器(SRAM),專為高速緩存和數(shù)據(jù)存儲應(yīng)用設(shè)計(jì)。TLE6228GP
TLE6228GP是四通道低側(cè)開關(guān)(2x5A/2x3A),采用智能功率技術(shù)(SPT),配備四個(gè)獨(dú)立輸入端和四個(gè)開漏DMOS輸出級。IPG20N10S4L-35
IPG20N10S4L-35 是一款由 Infineon(英飛凌)生產(chǎn)的雙 N 溝道 MOSFET,屬于 OptiMOS? 系列。BSC027N04LSG
BSC027N04LSG是40V OptiMOS? N溝道功率MOSFET晶體管。OptiMOS? 40V系列是服務(wù)器和臺式機(jī)等開關(guān)電源(SMPS)中同步整流的理想選擇。此外,該器件還可廣泛應(yīng)用于電機(jī)控制和快速開關(guān)DC-DC轉(zhuǎn)換器等工業(yè)領(lǐng)域。BSC027N04LSG規(guī)格參數(shù)場效應(yīng)管類型:N溝道工藝類型:MOSFET(金屬…電話咨詢:86-755-83294757
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