商品名稱:IGB30N60H3ATMA1
數(shù)據(jù)手冊(cè):IGB30N60H3ATMA1.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:TO-263-3
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
IGB30N60H3ATMA1 600V HighSpeed3 H3 IGBT是硬開關(guān)和軟開關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的理想選擇。該器件為開關(guān)損耗樹立了新標(biāo)桿,推薦用于開關(guān)頻率為20 kHz以上的拓?fù)?。超短尾電流和低關(guān)斷損耗(比最接近的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手低25%)是該系列的主要特性,將該系列用在您的設(shè)計(jì)中,最高可提升15%的效率。
產(chǎn)品規(guī)格:
IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止
電壓 - 集射極擊穿(最大值):600 V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):60 A
電流 - 集電極脈沖 (Icm):120 A
不同 Vge、Ic 時(shí) Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,30A
功率 - 最大值:187 W
開關(guān)能量:1.17mJ
輸入類型:標(biāo)準(zhǔn)
柵極電荷:165 nC
25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:18ns/207ns
測(cè)試條件:400V,30A,10.5 歐姆,15V
工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
供應(yīng)商器件封裝:PG-TO263-3-2
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…IPW60R099P6
IPW60R099P6 是英飛凌的一款CoolMOS? P6系列N通道功率MOSFET晶體管,采用PG-TO247-3封裝。CoolMOS? P6系列旨在實(shí)現(xiàn)更高的系統(tǒng)效率,同時(shí)易于設(shè)計(jì)。CoolMOS ? P6 縮小了專注于提供終極性能的技術(shù)與更注重易用性的技術(shù)之間的差距。產(chǎn)品信息:型號(hào):IPW60R099P6封裝:PG-CY62146EV30LL-45ZSXIT
CY62146EV30LL-45ZSXIT 是一款高性能的靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM),專為高速緩存和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)應(yīng)用設(shè)計(jì)。TLE6228GP
TLE6228GP是四通道低側(cè)開關(guān)(2x5A/2x3A),采用智能功率技術(shù)(SPT),配備四個(gè)獨(dú)立輸入端和四個(gè)開漏DMOS輸出級(jí)。IPG20N10S4L-35
IPG20N10S4L-35 是一款由 Infineon(英飛凌)生產(chǎn)的雙 N 溝道 MOSFET,屬于 OptiMOS? 系列。BSC027N04LSG
BSC027N04LSG是40V OptiMOS? N溝道功率MOSFET晶體管。OptiMOS? 40V系列是服務(wù)器和臺(tái)式機(jī)等開關(guān)電源(SMPS)中同步整流的理想選擇。此外,該器件還可廣泛應(yīng)用于電機(jī)控制和快速開關(guān)DC-DC轉(zhuǎn)換器等工業(yè)領(lǐng)域。BSC027N04LSG規(guī)格參數(shù)場(chǎng)效應(yīng)管類型:N溝道工藝類型:MOSFET(金屬…電話咨詢:86-755-83294757
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