商品名稱:IGB50N65S5ATMA1
數(shù)據(jù)手冊:IGB50N65S5ATMA1.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:TO-263-3
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
IGB50N65S5ATMA1 650V 中速開關(guān)IGBT是L5和H5之間的鏈路以及10kHz和40kHz之間切換的地址應(yīng)用。IGBT具有高效率,更快上市時間周期,降低了電路設(shè)計(jì)復(fù)雜性并優(yōu)化了PCB物料清單成本。TRENCHSTOP? 5 S5封裝的特性有助于設(shè)計(jì)人員實(shí)現(xiàn)目標(biāo),而無需增加電路復(fù)雜性。
產(chǎn)品規(guī)格:
IGBT 類型:溝槽型場截止
電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):80 A
電流 - 集電極脈沖 (Icm):200 A
不同 Vge、Ic 時 Vce(on)(最大值):1.7V @ 15V,50A
功率 - 最大值:270 W
開關(guān)能量:1.23mJ(開),740μJ(關(guān))
輸入類型:標(biāo)準(zhǔn)
柵極電荷:120 nC
25°C 時 Td(開/關(guān))值:20ns/139ns
測試條件:400V,50A,8.2 歐姆,15V
工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
供應(yīng)商器件封裝:PG-TO263-3
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價格/性能、實(shí)時響應(yīng)性、計(jì)算能…IPW60R099P6
IPW60R099P6 是英飛凌的一款CoolMOS? P6系列N通道功率MOSFET晶體管,采用PG-TO247-3封裝。CoolMOS? P6系列旨在實(shí)現(xiàn)更高的系統(tǒng)效率,同時易于設(shè)計(jì)。CoolMOS ? P6 縮小了專注于提供終極性能的技術(shù)與更注重易用性的技術(shù)之間的差距。產(chǎn)品信息:型號:IPW60R099P6封裝:PG-CY62146EV30LL-45ZSXIT
CY62146EV30LL-45ZSXIT 是一款高性能的靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器(SRAM),專為高速緩存和數(shù)據(jù)存儲應(yīng)用設(shè)計(jì)。TLE6228GP
TLE6228GP是四通道低側(cè)開關(guān)(2x5A/2x3A),采用智能功率技術(shù)(SPT),配備四個獨(dú)立輸入端和四個開漏DMOS輸出級。IPG20N10S4L-35
IPG20N10S4L-35 是一款由 Infineon(英飛凌)生產(chǎn)的雙 N 溝道 MOSFET,屬于 OptiMOS? 系列。BSC027N04LSG
BSC027N04LSG是40V OptiMOS? N溝道功率MOSFET晶體管。OptiMOS? 40V系列是服務(wù)器和臺式機(jī)等開關(guān)電源(SMPS)中同步整流的理想選擇。此外,該器件還可廣泛應(yīng)用于電機(jī)控制和快速開關(guān)DC-DC轉(zhuǎn)換器等工業(yè)領(lǐng)域。BSC027N04LSG規(guī)格參數(shù)場效應(yīng)管類型:N溝道工藝類型:MOSFET(金屬…電話咨詢:86-755-83294757
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