商品名稱:IKB40N65ES5ATMA1
數(shù)據(jù)手冊:IKB40N65ES5ATMA1.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:TO-263-3
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
IKB40N65ES5ATMA1 650V 中速開關(guān)IGBT是L5和H5之間的鏈路以及10kHz和40kHz之間切換的地址應(yīng)用。該IGBT具有高效率,更快上市時間周期,降低了電路設(shè)計復(fù)雜性并優(yōu)化了PCB物料清單成本。
產(chǎn)品規(guī)格:
IGBT 類型:溝槽型場截止
電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):79 A
電流 - 集電極脈沖 (Icm):160 A
不同 Vge、Ic 時 Vce(on)(最大值):1.74V @ 15V,40A
功率 - 最大值:230 W
開關(guān)能量:860μJ(開),400μJ(關(guān))
輸入類型:標(biāo)準(zhǔn)
柵極電荷:95 nC
25°C 時 Td(開/關(guān))值:19ns/130ns
測試條件:400V,40A,10 歐姆,15V
反向恢復(fù)時間 (trr):73 ns
工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
供應(yīng)商器件封裝:PG-TO263-3
基本產(chǎn)品編號:IKB40N65
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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IPG20N10S4L-35 是一款由 Infineon(英飛凌)生產(chǎn)的雙 N 溝道 MOSFET,屬于 OptiMOS? 系列。BSC027N04LSG
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